PSMN057-200B,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 84.61 грн |
| 1600+ | 79.75 грн |
| 2400+ | 78.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN057-200B,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PSMN057-200B,118 за ціною від 78.67 грн до 247.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN057-200B,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN057-200B,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN057-200B,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN057-200B,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN057-200B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN057-200B,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs TO263 200V 39A N-CH TRCHMOS |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN057-200B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMN057-200B,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PSMN057-200B,118 | Виробник : NEXPERIA |
PSMN057-200B.118 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |