Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > PSMN057-200P,127

PSMN057-200P,127 NXP Semiconductors

PSMN057-200P.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+246.19 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN057-200P,127 NXP Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PSMN057-200P,127 за ціною від 213.56 грн до 284.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN057-200P,127 Виробник : NXP Semiconductors PSMN057-200P.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+246.19 грн
500+233.40 грн
1000+220.61 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 Виробник : NEXPERIA PSMN057-200P.pdf PSMN057-200P.127 THT N channel transistors
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.80 грн
6+225.53 грн
10+218.66 грн
15+213.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 Виробник : NEXPERIA 4381134010347070psmn057-200p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN057-200P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 Виробник : Nexperia PSMN057_200P-2938766.pdf MOSFET PSMN057-200P/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.