Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN069-100YS,115
PSMN069-100YS,115

PSMN069-100YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN069-100YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+18.69 грн
3000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN069-100YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 56W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm.

Інші пропозиції PSMN069-100YS,115 за ціною від 14.87 грн до 114.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS,115 Nexperia 4381345640494364psmn069-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS,115 Nexperia 4381345640494364psmn069-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880892-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.06 грн
500+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN069-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 3063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.13 грн
10+41.61 грн
100+27.22 грн
500+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS,115 Nexperia PSMN069-100YS.pdf MOSFETs PSMN069-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.79 грн
10+43.68 грн
100+27.65 грн
500+21.65 грн
1000+18.57 грн
1500+16.76 грн
3000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880892-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.05 грн
14+59.80 грн
100+43.58 грн
500+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115 4381345640494364psmn069-100ys.pdf
PSMN069-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115 4381345640494364psmn069-100ys.pdf
PSMN069-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115 NEXP-S-A0002880892-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN069-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.06 грн
500+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS.pdf
PSMN069-100YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 3063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.13 грн
10+41.61 грн
100+27.22 грн
500+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS.pdf
PSMN069-100YS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN069-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+70.79 грн
10+43.68 грн
100+27.65 грн
500+21.65 грн
1000+18.57 грн
1500+16.76 грн
3000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN069-100YS,115 NEXP-S-A0002880892-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN069-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+114.05 грн
14+59.80 грн
100+43.58 грн
500+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.