PSMN070-200P,127 Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 124.30 грн |
| 10+ | 119.09 грн |
| 25+ | 116.11 грн |
| 50+ | 110.64 грн |
| 100+ | 78.90 грн |
| 500+ | 75.28 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN070-200P,127 Nexperia
Description: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PSMN070-200P,127 за ціною від 87.16 грн до 225.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN070-200P,127 | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors |
Description: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V |
на замовлення 8812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 3992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 158+ | 225.44 грн |
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Description: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 8812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 267+ | 87.16 грн |
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 201.70 грн |
| 500+ | 191.03 грн |
| 1000+ | 180.35 грн |
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 201.70 грн |
| 500+ | 191.03 грн |
| 1000+ | 180.35 грн |
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 201.70 грн |
| 500+ | 191.03 грн |
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 201.70 грн |
| 500+ | 191.03 грн |