PSMN070-200P,127 Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 123.75 грн |
| 10+ | 118.56 грн |
| 25+ | 115.59 грн |
| 50+ | 110.15 грн |
| 100+ | 78.55 грн |
| 500+ | 74.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN070-200P,127 Nexperia
Description: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc).
Інші пропозиції PSMN070-200P,127 за ціною від 87.76 грн до 224.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN070-200P,127 | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors |
Description: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) |
на замовлення 8812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 3992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 158+ | 224.44 грн |
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Description: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
на замовлення 8812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 267+ | 87.76 грн |
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 200.81 грн |
| 500+ | 190.18 грн |
| 1000+ | 179.55 грн |
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 200.81 грн |
| 500+ | 190.18 грн |
| 1000+ | 179.55 грн |
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 200.81 грн |
| 500+ | 190.18 грн |
| PSMN070-200P,127 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 200.81 грн |
| 500+ | 190.18 грн |