PSMN071-100NSEX

PSMN071-100NSEX Nexperia USA Inc.


PSMN071-100NSE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 559 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN071-100NSEX Nexperia USA Inc.

Description: PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.3mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: DFN2020M-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 559 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN071-100NSEX за ціною від 7.34 грн до 36.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN071-100NSEX PSMN071-100NSEX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN071-100NSE.pdf Description: PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 559 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
12+25.92 грн
100+15.53 грн
500+13.50 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN071-100NSEX PSMN071-100NSEX Виробник : Nexperia PSMN071_100NSE-3394359.pdf MOSFET PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.65 грн
12+29.96 грн
100+17.83 грн
1000+9.98 грн
3000+9.17 грн
12000+8.07 грн
27000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN071-100NSEX PSMN071-100NSEX Виробник : Nexperia psmn071-100nse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN071-100NSEX PSMN071-100NSEX Виробник : Nexperia psmn071-100nse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN071-100NSEX Виробник : NEXPERIA psmn071-100nse.pdf N-Channel MOSFET 100 V, 81 mOhm Standard Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.