на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 16.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN075-100MSEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PSMN075-100MSEX за ціною від 15.72 грн до 66.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 115500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 106500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 115500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 115500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 55500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V |
на замовлення 49984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | MOSFET PSMN075-100MSE/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 52513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 74A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 74A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A On-state resistance: 57mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN075-100MSEX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 74A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 74A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A On-state resistance: 57mΩ |
товар відсутній |