на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 140+ | 57.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN0R7-25YLDX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN0R7-25YLDX за ціною від 55.74 грн до 280.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN0R7-25YLD/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 4421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V |
на замовлення 3113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
PSMN0R7-25YLDX SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |