Продукція > NEXPERIA > PSMN0R7-25YLDX
PSMN0R7-25YLDX

PSMN0R7-25YLDX Nexperia

927561868308361psmn0r7-25yld.pdffsrch1sr1pagenum1.pdffsrch1sr1pagenum1.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 152848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN0R7-25YLDX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V, Verlustleistung: 158W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm.

Інші пропозиції PSMN0R7-25YLDX за ціною від 58.96 грн до 381.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia USA Inc. PSMN0R7-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia 927561868308361psmn0r7-25yld.pdffsrch1sr1pagenum1.pdffsrch1sr1pagenum1.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.55 грн
10+126.34 грн
25+125.07 грн
100+101.89 грн
250+93.39 грн
500+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia 927561868308361psmn0r7-25yld.pdffsrch1sr1pagenum1.pdffsrch1sr1pagenum1.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.55 грн
113+126.34 грн
114+125.07 грн
135+101.89 грн
250+93.39 грн
500+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003101024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+180.41 грн
500+153.31 грн
1000+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia PSMN0R7-25YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 25V 300A
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.21 грн
10+127.82 грн
100+75.94 грн
500+62.96 грн
1000+61.16 грн
1500+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia USA Inc. PSMN0R7-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.86 грн
10+153.69 грн
100+107.44 грн
500+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003101024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.76 грн
10+260.95 грн
100+180.41 грн
500+153.31 грн
1000+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLD.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX 927561868308361psmn0r7-25yld.pdffsrch1sr1pagenum1.pdffsrch1sr1pagenum1.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+150.55 грн
10+126.34 грн
25+125.07 грн
100+101.89 грн
250+93.39 грн
500+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX 927561868308361psmn0r7-25yld.pdffsrch1sr1pagenum1.pdffsrch1sr1pagenum1.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+150.55 грн
113+126.34 грн
114+125.07 грн
135+101.89 грн
250+93.39 грн
500+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX NEXP-S-A0003101024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R7-25YLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+180.41 грн
500+153.31 грн
1000+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLD.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 300A
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.21 грн
10+127.82 грн
100+75.94 грн
500+62.96 грн
1000+61.16 грн
1500+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLD.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.86 грн
10+153.69 грн
100+107.44 грн
500+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX NEXP-S-A0003101024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R7-25YLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+381.76 грн
10+260.95 грн
100+180.41 грн
500+153.31 грн
1000+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.