Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > PSMN0R9-25YLC,115

PSMN0R9-25YLC,115

PSMN0R9-25YLC.pdf
Код товару: 124400
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PSMN0R9-25YLC,115 за ціною від 18.34 грн до 298.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.58 грн
36+21.23 грн
100+20.14 грн
250+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN0R9-25YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.48 грн
3000+48.87 грн
4500+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN0R9-25YLC.115.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.11 грн
10+124.37 грн
25+104.47 грн
100+94.52 грн
250+87.06 грн
500+82.91 грн
1000+74.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.47 грн
200+100.74 грн
500+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+154.40 грн
1000+144.97 грн
10000+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN0R9-25YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
на замовлення 6063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.90 грн
10+108.80 грн
100+74.35 грн
500+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.14 грн
10+192.06 грн
50+149.47 грн
200+100.74 грн
500+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia PSMN0R9-25YLC.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
на замовлення 5441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+21.58 грн
36+21.23 грн
100+20.14 грн
250+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+54.48 грн
3000+48.87 грн
4500+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC.115.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.11 грн
10+124.37 грн
25+104.47 грн
100+94.52 грн
250+87.06 грн
500+82.91 грн
1000+74.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+149.47 грн
200+100.74 грн
500+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
218+162.65 грн
500+154.40 грн
1000+144.97 грн
10000+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
на замовлення 6063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.90 грн
10+108.80 грн
100+74.35 грн
500+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+298.14 грн
10+192.06 грн
50+149.47 грн
200+100.74 грн
500+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
на замовлення 5441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.