
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 56.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN0R9-25YLC,115 за ціною від 53.12 грн до 173.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 40500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 89500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 40500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 12751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.125mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PSMN0R9-25YLC,115 Код товару: 124400
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 12751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.125mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V |
на замовлення 6244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 73669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |