PSMN0R9-30YLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 51.87 грн |
| 4500+ | 48.54 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN0R9-30YLDX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 349W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm.
Інші пропозиції PSMN0R9-30YLDX за ціною від 44.10 грн до 189.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 291W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V |
на замовлення 13612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W Mounting: SMD Pulsed drain current: 1.8kA Power dissipation: 291W Gate charge: 109nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 284A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 On-state resistance: 1.44mΩ |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
MOSFETs PSMN0R9-30YLD/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 1517 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 349W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
PSMN0R9-30YLDX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 349W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 66.73 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 66.86 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 174+ | 82.11 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 83.33 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 99+ | 95.64 грн |
| 100+ | 81.67 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 127+ | 112.34 грн |
| 128+ | 111.77 грн |
| 250+ | 107.23 грн |
| 500+ | 98.78 грн |
| 1000+ | 94.34 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 114.35 грн |
| 10+ | 113.78 грн |
| 25+ | 113.21 грн |
| 100+ | 108.62 грн |
| 250+ | 100.06 грн |
| 500+ | 95.57 грн |
| 1000+ | 95.09 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
на замовлення 13612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.43 грн |
| 10+ | 99.16 грн |
| 50+ | 75.11 грн |
| 100+ | 63.19 грн |
| 500+ | 50.42 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Gate charge: 109nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 284A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Gate charge: 109nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 284A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 168.87 грн |
| 10+ | 151.85 грн |
| 25+ | 146.07 грн |
| 100+ | 141.12 грн |
| 250+ | 136.17 грн |
| 500+ | 131.22 грн |
| 1000+ | 127.09 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN0R9-30YLD/SOT1023/4 LEADS
MOSFETs PSMN0R9-30YLD/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 185.15 грн |
| 10+ | 89.15 грн |
| 100+ | 68.53 грн |
| 500+ | 51.85 грн |
| 1000+ | 48.19 грн |
| 1500+ | 46.88 грн |
| 3000+ | 44.10 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 188+ | 189.84 грн |
| 500+ | 170.86 грн |
| 1000+ | 157.80 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 188+ | 189.84 грн |
| 500+ | 170.86 грн |
| 1000+ | 157.80 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






