PSMN0R9-30YLDX

PSMN0R9-30YLDX Nexperia USA Inc.


PSMN0R9-30YLD.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+64.44 грн
3000+57.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN0R9-30YLDX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 349W, Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN0R9-30YLDX за ціною від 49.29 грн до 910.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+72.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+89.08 грн
100+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+97.66 грн
128+97.16 грн
250+93.22 грн
500+85.87 грн
1000+82.01 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+106.51 грн
10+105.98 грн
25+105.45 грн
100+101.17 грн
250+93.20 грн
500+89.02 грн
1000+88.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+115.17 грн
500+89.64 грн
1000+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+192.23 грн
10+149.04 грн
100+115.17 грн
500+89.64 грн
1000+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : Nexperia PSMN0R9-30YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 300A
на замовлення 24981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.92 грн
10+110.25 грн
100+76.24 грн
500+65.60 грн
1000+53.22 грн
1500+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN0R9-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
на замовлення 9599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.05 грн
10+129.28 грн
50+98.22 грн
100+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+758.77 грн
10+563.03 грн
100+423.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+910.52 грн
10+701.62 грн
100+507.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : NEXPERIA 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Виробник : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.