PSMN0R9-30YLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 49.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN0R9-30YLDX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 349W, Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN0R9-30YLDX за ціною від 51.38 грн до 223.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 291W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 300A |
на замовлення 24981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PSMN0R9-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
PSMN0R9-30YLDX SMD N channel transistors |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN0R9-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |