Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN102-200Y,115
PSMN102-200Y,115

PSMN102-200Y,115 Nexperia USA Inc.

PSMN102-200Y.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+38.25 грн
3000+34.10 грн
4500+32.70 грн
7500+29.22 грн
10500+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN102-200Y,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 113W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm.

Інші пропозиції PSMN102-200Y,115 за ціною від 31.49 грн до 187.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Nexperia USA Inc. PSMN102-200Y.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
на замовлення 14812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.63 грн
100+53.46 грн
500+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Nexperia PSMN102-200Y.pdf MOSFETs PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.75 грн
10+85.73 грн
100+49.54 грн
500+39.16 грн
1000+34.14 грн
1500+31.56 грн
3000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 NEXPERIA PHGLS22546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.77 грн
10+118.68 грн
100+78.36 грн
500+54.57 грн
1000+46.19 грн
5000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y.pdf
PSMN102-200Y,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
на замовлення 14812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.11 грн
10+79.63 грн
100+53.46 грн
500+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y.pdf
PSMN102-200Y,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.75 грн
10+85.73 грн
100+49.54 грн
500+39.16 грн
1000+34.14 грн
1500+31.56 грн
3000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PHGLS22546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN102-200Y,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+187.77 грн
10+118.68 грн
100+78.36 грн
500+54.57 грн
1000+46.19 грн
5000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.