Продукція > NEXPERIA > PSMN102-200Y,115
PSMN102-200Y,115

PSMN102-200Y,115 NEXPERIA

4376153455431737psmn102-200y.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN102-200Y,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN102-200Y,115 за ціною від 34.20 грн до 158.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
315+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+40.21 грн
3000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+40.90 грн
3000+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+42.15 грн
250+41.92 грн
500+41.69 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+43.04 грн
3000+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+48.50 грн
3000+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS22546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.79 грн
500+49.15 грн
1000+39.34 грн
5000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS22546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.41 грн
15+56.57 грн
100+54.79 грн
500+49.15 грн
1000+39.34 грн
5000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+64.88 грн
3000+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+70.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia PSMN102-200Y.pdf MOSFETs SOT669 200V 21.5A
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.92 грн
10+76.14 грн
100+54.43 грн
500+42.73 грн
1000+35.03 грн
1500+34.35 грн
3000+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
276+112.43 грн
500+101.19 грн
1000+93.32 грн
10000+80.23 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 40053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
276+112.43 грн
500+101.19 грн
1000+93.32 грн
10000+80.23 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
276+112.43 грн
500+101.19 грн
1000+93.32 грн
10000+80.23 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN102-200Y.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.42 грн
10+96.96 грн
50+72.88 грн
100+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN102-200Y.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.