PSMN102-200Y,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 38.77 грн |
| 3000+ | 34.56 грн |
| 4500+ | 33.15 грн |
| 7500+ | 29.62 грн |
| 10500+ | 28.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN102-200Y,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 113W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm.
Інші пропозиції PSMN102-200Y,115 за ціною від 40.21 грн до 142.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V |
на замовлення 14664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 67053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PSMN102-200Y,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 113W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm |
на замовлення 9172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 113W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm |
на замовлення 9172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 44.97 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 46.05 грн |
| 3000+ | 45.34 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 46.68 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 46.84 грн |
| 3000+ | 43.67 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 47.14 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 47.72 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 47.81 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 55.55 грн |
| 3000+ | 50.76 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 74.31 грн |
| 3000+ | 67.90 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 74.31 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 80.67 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
на замовлення 14664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.03 грн |
| 10+ | 80.70 грн |
| 100+ | 54.20 грн |
| 500+ | 40.21 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 248+ | 142.93 грн |
| 500+ | 128.76 грн |
| 1000+ | 118.12 грн |
| 10000+ | 102.00 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 67053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 248+ | 142.93 грн |
| 500+ | 128.76 грн |
| 1000+ | 118.12 грн |
| 10000+ | 102.00 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 248+ | 142.93 грн |
| 500+ | 128.76 грн |
| 1000+ | 118.12 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 248+ | 142.93 грн |
| 500+ | 128.76 грн |
| 1000+ | 118.12 грн |
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 9172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN102-200Y,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 9172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)