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Технічний опис PSMN1R0-100ASEJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.55kW, Bauform - Transistor: CCPAK1212, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN1R0-100ASEJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PSMN1R0-100ASEJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.55kW Bauform - Transistor: CCPAK1212 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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PSMN1R0-100ASEJ | NEXPERIA |
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на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN1R0-100ASEJ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN1R0-100ASEJ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




