Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R0-100ASEJ
PSMN1R0-100ASEJ

PSMN1R0-100ASEJ Nexperia USA Inc.

PSMN1R0-100ASE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+752.84 грн
10+597.13 грн
100+497.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-100ASEJ Nexperia USA Inc.

Description: PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN1R0-100ASEJ за ціною від 372.99 грн до 754.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R0-100ASEJ PSMN1R0-100ASEJ Виробник : Nexperia PSMN1R0-100ASE.pdf MOSFETs SOT8000 100V 430A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.44 грн
10+578.69 грн
25+467.89 грн
100+427.43 грн
250+409.04 грн
500+398.00 грн
1000+372.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASEJ PSMN1R0-100ASEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-100ASE.pdf Description: PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.