Продукція > NEXPERIA > PSMN1R0-100ASFJ

PSMN1R0-100ASFJ Nexperia


PSMN1R0-100ASF.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT8000 100V 460A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+777.21 грн
10+599.39 грн
100+434.91 грн
500+387.28 грн
1000+328.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-100ASFJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 460A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 1.55kW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CCPAK1212, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm.

Інші пропозиції PSMN1R0-100ASFJ за ціною від 417.60 грн до 1387.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R0-100ASFJ PSMN1R0-100ASFJ Nexperia USA Inc. PSMN1R0-100ASF.pdf Description: PSMN1R0-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.05 грн
10+530.76 грн
100+417.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASFJ PSMN1R0-100ASFJ NEXPERIA 4421156.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+860.16 грн
50+673.08 грн
100+614.40 грн
250+526.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASFJ PSMN1R0-100ASFJ NEXPERIA 4421156.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1387.70 грн
5+1046.21 грн
10+860.16 грн
50+673.08 грн
100+614.40 грн
250+526.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASFJ PSMN1R0-100ASF.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R0-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+796.05 грн
10+530.76 грн
100+417.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASFJ 4421156.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+860.16 грн
50+673.08 грн
100+614.40 грн
250+526.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASFJ 4421156.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1387.70 грн
5+1046.21 грн
10+860.16 грн
50+673.08 грн
100+614.40 грн
250+526.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.