PSMN1R0-100CSFJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 713.63 грн |
| 50+ | 629.56 грн |
| 100+ | 550.59 грн |
| 250+ | 539.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R0-100CSFJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 460A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.55kW, Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN1R0-100CSFJ за ціною від 416.79 грн до 911.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R0-100CSFJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R0-100CSFJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT8000 100V 460A |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R0-100CSFJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 460A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.55kW Bauform - Transistor: CCPAK1212i Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R0-100CSFJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 460A 12-Pin CCPAK EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMN1R0-100CSFJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |