Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R0-100CSFJ
PSMN1R0-100CSFJ

PSMN1R0-100CSFJ Nexperia USA Inc.

PSMN1R0-100CSF.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+357.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-100CSFJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 460A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 1.55kW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm.

Інші пропозиції PSMN1R0-100CSFJ за ціною від 390.86 грн до 1436.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R0-100CSFJ PSMN1R0-100CSFJ Nexperia USA Inc. PSMN1R0-100CSF.pdf Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.41 грн
10+535.67 грн
100+421.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJ PSMN1R0-100CSFJ Nexperia PSMN1R0-100CSF.pdf MOSFETs SOT8000 100V 460A
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.61 грн
10+604.93 грн
100+438.94 грн
500+390.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJ PSMN1R0-100CSFJ NEXPERIA 4421157.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+890.07 грн
50+689.12 грн
100+590.82 грн
250+545.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJ PSMN1R0-100CSFJ Nexperia psmn1r0100csf.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 460A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+1289.42 грн
100+1224.59 грн
500+1160.95 грн
1000+1056.97 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJ PSMN1R0-100CSFJ NEXPERIA 4421157.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1436.30 грн
5+1055.89 грн
10+890.07 грн
50+689.12 грн
100+590.82 грн
250+545.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJ PSMN1R0-100CSF.pdf
PSMN1R0-100CSFJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+803.41 грн
10+535.67 грн
100+421.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJ PSMN1R0-100CSF.pdf
PSMN1R0-100CSFJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT8000 100V 460A
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+848.61 грн
10+604.93 грн
100+438.94 грн
500+390.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJ 4421157.pdf
PSMN1R0-100CSFJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+890.07 грн
50+689.12 грн
100+590.82 грн
250+545.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJ psmn1r0100csf.pdf
PSMN1R0-100CSFJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 460A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+1289.42 грн
100+1224.59 грн
500+1160.95 грн
1000+1056.97 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJ 4421157.pdf
PSMN1R0-100CSFJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1436.30 грн
5+1055.89 грн
10+890.07 грн
50+689.12 грн
100+590.82 грн
250+545.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.