Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R0-30YLC,115
PSMN1R0-30YLC,115

PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc.

PSMN1R0-30YLC.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+68.95 грн
3000+62.06 грн
4500+59.85 грн
7500+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V, Verlustleistung: 137W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm.

Інші пропозиції PSMN1R0-30YLC,115 за ціною від 54.21 грн до 215.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+75.34 грн
250+73.77 грн
500+67.55 грн
1000+60.64 грн
3000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+145.87 грн
10+113.01 грн
25+102.21 грн
100+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.84 грн
10+143.08 грн
100+97.85 грн
500+79.84 грн
1000+63.58 грн
1500+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.89 грн
99+143.80 грн
145+98.34 грн
500+80.24 грн
1000+63.91 грн
1500+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
на замовлення 19201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.13 грн
10+134.47 грн
100+92.80 грн
500+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia PSMN1R0-30YLC.pdf MOSFETs PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 25348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+75.34 грн
250+73.77 грн
500+67.55 грн
1000+60.64 грн
3000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+145.87 грн
10+113.01 грн
25+102.21 грн
100+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+209.84 грн
10+143.08 грн
100+97.85 грн
500+79.84 грн
1000+63.58 грн
1500+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+210.89 грн
99+143.80 грн
145+98.34 грн
500+80.24 грн
1000+63.91 грн
1500+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
на замовлення 19201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.13 грн
10+134.47 грн
100+92.80 грн
500+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 25348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.