Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > PSMN1R0-30YLC.115

PSMN1R0-30YLC.115

Код товару: 173650
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PSMN1R0-30YLC.115 за ціною від 47.05 грн до 212.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+56.46 грн
252+56.27 грн
253+55.99 грн
254+53.73 грн
500+49.50 грн
1000+47.28 грн
3000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.43 грн
14+56.46 грн
25+56.27 грн
100+53.99 грн
250+49.75 грн
500+47.52 грн
1000+47.28 грн
3000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.97 грн
4500+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.22 грн
10+114.06 грн
25+103.15 грн
100+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia psmn1r030ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.05 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
на замовлення 14174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+132.54 грн
50+101.49 грн
100+85.86 грн
500+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia PSMN1R0-30YLC.pdf MOSFETs PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 21106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
251+56.46 грн
252+56.27 грн
253+55.99 грн
254+53.73 грн
500+49.50 грн
1000+47.28 грн
3000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.43 грн
14+56.46 грн
25+56.27 грн
100+53.99 грн
250+49.75 грн
500+47.52 грн
1000+47.28 грн
3000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+67.97 грн
4500+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+74.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.22 грн
10+114.06 грн
25+103.15 грн
100+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+210.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 psmn1r030ylc.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+210.05 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
на замовлення 14174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.41 грн
10+132.54 грн
50+101.49 грн
100+85.86 грн
500+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 21106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.