Продукція > NEXPERIA > PSMN1R0-30YLDX
PSMN1R0-30YLDX

PSMN1R0-30YLDX Nexperia

psmn1r0-30yld.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+47.12 грн
264+47.02 грн
278+44.57 грн
295+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-30YLDX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN1R0-30YLDX за ціною від 35.93 грн до 282.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+53.26 грн
15+49.88 грн
25+49.39 грн
100+46.17 грн
250+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA 1179305395053383psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PHGL-S-A0001060349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+78.67 грн
500+70.80 грн
1000+65.29 грн
10000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+78.67 грн
500+70.80 грн
1000+65.29 грн
10000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia PSMN1R0-30YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.69 грн
10+75.44 грн
100+57.30 грн
1000+52.99 грн
1500+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PHGL-S-A0001060349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.21 грн
10+113.48 грн
100+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.02mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121.35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8598 pF @ 15 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.21 грн
10+134.39 грн
50+102.24 грн
100+86.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.42 грн
5+195.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.51 грн
5+243.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.02mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121.35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8598 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.