Продукція > NEXPERIA > PSMN1R0-30YLDX
PSMN1R0-30YLDX

PSMN1R0-30YLDX Nexperia

psmn1r0-30yld.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+47.34 грн
264+47.24 грн
278+44.78 грн
295+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-30YLDX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN1R0-30YLDX за ціною від 36.52 грн до 222.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+53.51 грн
15+50.12 грн
25+49.62 грн
100+46.39 грн
250+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA 1179305395053383psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PHGL-S-A0001060349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+79.04 грн
500+71.14 грн
1000+65.61 грн
10000+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+79.04 грн
500+71.14 грн
1000+65.61 грн
10000+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia PSMN1R0-30YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.42 грн
10+76.68 грн
100+58.24 грн
1000+53.86 грн
1500+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PHGL-S-A0001060349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.82 грн
10+115.34 грн
100+96.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.85 грн
5+139.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.42 грн
5+173.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.02mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121.35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8598 pF @ 15 V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.44 грн
10+137.63 грн
50+104.69 грн
100+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.02mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121.35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8598 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.