Продукція > NEXPERIA > PSMN1R0-40SSHJ
PSMN1R0-40SSHJ

PSMN1R0-40SSHJ NEXPERIA

2818252.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+174.80 грн
500+150.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-40SSHJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN1R0-40SSHJ за ціною від 81.69 грн до 276.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40SSHJ Виробник : Nexperia PSMN1R0-40SSH.pdf MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 325A
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.04 грн
10+167.89 грн
100+109.68 грн
500+96.82 грн
1000+89.26 грн
2000+81.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40SSHJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40SSH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.38 грн
10+166.73 грн
100+116.65 грн
500+96.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40SSHJ Виробник : NEXPERIA 2818252.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+276.63 грн
10+186.68 грн
100+174.80 грн
500+150.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJ Виробник : NEXPERIA psmn1r0-40ssh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 325A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40SSHJ Виробник : Nexperia psmn1r0-40ssh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 325A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJ Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-40SSH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1659A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 293A
Pulsed drain current: 1659A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40SSHJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40SSH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJ Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-40SSH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1659A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 293A
Pulsed drain current: 1659A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.