Продукція > NEXPERIA > PSMN1R0-40SSHJ
PSMN1R0-40SSHJ

PSMN1R0-40SSHJ NEXPERIA

2818252.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+182.74 грн
500+ 143.95 грн
1000+ 112.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-40SSHJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PSMN1R0-40SSHJ за ціною від 112.34 грн до 297.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40SSHJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40SSH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+236.87 грн
10+ 191.24 грн
100+ 154.7 грн
500+ 129.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40SSHJ Виробник : NEXPERIA 2818252.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+247.89 грн
10+ 223.18 грн
100+ 182.74 грн
500+ 143.95 грн
1000+ 112.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40SSHJ Виробник : Nexperia PSMN1R0_40SSH-1595998.pdf MOSFET PSMN1R0-40SSH/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+297.53 грн
10+ 246.45 грн
100+ 173.58 грн
500+ 154.22 грн
1000+ 132.19 грн
2000+ 131.52 грн
4000+ 124.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN1R0-40SSHJ Виробник : NEXPERIA psmn1r0-40ssh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 325A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товар відсутній
PSMN1R0-40SSHJ Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-40SSH.pdf PSMN1R0-40SSHJ SMD N channel transistors
товар відсутній
PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40SSHJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40SSH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
товар відсутній