Технічний опис PSMN1R0-40ULDX NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Ta), Power Dissipation (Max): 164W, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V.
Інші пропозиції PSMN1R0-40ULDX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R0-40ULDX | Виробник : NEXPERIA |
 N-channel logic level MOSFET |
товару немає в наявності |
|
|
|
PSMN1R0-40ULDX | Виробник : NEXPERIA |
N-channel logic level MOSFET |
товару немає в наявності |
|
| PSMN1R0-40ULDX | Виробник : NEXPERIA |
PSMN1R0-40ULDX SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
PSMN1R0-40ULDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Ta) Power Dissipation (Max): 164W Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
 |
PSMN1R0-40ULDX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN1R0-40ULD/SOT1023/4 LEADS |
товару немає в наявності |