Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R0-40YLDX
PSMN1R0-40YLDX

PSMN1R0-40YLDX Nexperia USA Inc.

PSMN1R0-40YLD.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+68.36 грн
3000+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-40YLDX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 198W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN1R0-40YLDX за ціною від 58.92 грн до 166.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : Nexperia 6589697837817349psmn1r0-40yld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+75.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : Nexperia 6589697837817349psmn1r0-40yld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : NEXPERIA 2575345.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.20 грн
500+72.06 грн
1000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : Nexperia 6589697837817349psmn1r0-40yld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+95.49 грн
500+85.94 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : Nexperia 6589697837817349psmn1r0-40yld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+95.49 грн
500+85.94 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.13 грн
10+96.22 грн
100+79.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : Nexperia PSMN1R0-40YLD.pdf MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 280A
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.45 грн
10+106.48 грн
100+76.03 грн
500+73.77 грн
1500+62.03 грн
3000+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : NEXPERIA 2575345.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+166.36 грн
10+115.69 грн
100+94.58 грн
500+83.12 грн
1000+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : Nexperia 6589697837817349psmn1r0-40yld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-40YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1284A; 198W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1284A
Power dissipation: 198W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : NEXPERIA 6589697837817349psmn1r0-40yld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : Nexperia 6589697837817349psmn1r0-40yld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : NEXPERIA 6589697837817349psmn1r0-40yld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : NEXPERIA 6589697837817349psmn1r0-40yld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX PSMN1R0-40YLDX Виробник : Nexperia 6589697837817349psmn1r0-40yld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-40YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1284A; 198W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1284A
Power dissipation: 198W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.