Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R0-40YSHX
PSMN1R0-40YSHX

PSMN1R0-40YSHX Nexperia USA Inc.

PSMN1R0-40YSH.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+112.17 грн
3000+103.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-40YSHX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 333W (Tc), FET Feature: Schottky Diode (Body), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN1R0-40YSHX за ціною від 118.60 грн до 324.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSHX Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40YSH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.50 грн
10+206.43 грн
100+146.19 грн
500+118.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSHX Nexperia PSMN1R0-40YSH.pdf MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 290A
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSH.pdf
PSMN1R0-40YSHX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+324.50 грн
10+206.43 грн
100+146.19 грн
500+118.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSH.pdf
PSMN1R0-40YSHX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 290A
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.