Продукція > NEXPERIA > PSMN1R0-40YSHX
PSMN1R0-40YSHX

PSMN1R0-40YSHX Nexperia

PSMN1R0-40YSH.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 290A
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.43 грн
10+187.25 грн
100+120.20 грн
500+105.52 грн
1000+95.74 грн
1500+95.04 грн
3000+94.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-40YSHX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN1R0-40YSHX за ціною від 118.43 грн до 340.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSHX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40YSH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.41 грн
10+216.29 грн
100+153.14 грн
500+118.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSHX Виробник : Nexperia psmn1r0-40ysh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 290A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSHX Виробник : Nexperia psmn1r0-40ysh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 290A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSHX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40YSH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHX Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-40YSH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 277A; Idm: 1564A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 277A
Pulsed drain current: 1564A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.