Продукція > NEXPERIA > PSMN1R0-80CSEJ
PSMN1R0-80CSEJ

PSMN1R0-80CSEJ Nexperia

PSMN1R0-80CSE.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT8005 N-CH 80V 495A
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+745.38 грн
10+574.48 грн
100+416.64 грн
500+388.08 грн
1000+329.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-80CSEJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 495A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 1.55kW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm.

Інші пропозиції PSMN1R0-80CSEJ за ціною від 400.44 грн до 1400.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R0-80CSEJ PSMN1R0-80CSEJ Nexperia USA Inc. PSMN1R0-80CSE.pdf Description: PSMN1R0-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95Ohm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.06 грн
10+514.01 грн
100+400.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJ PSMN1R0-80CSEJ NEXPERIA 4421158.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 495A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+868.12 грн
50+672.51 грн
100+576.19 грн
250+531.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJ PSMN1R0-80CSEJ NEXPERIA 4421158.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 495A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1400.53 грн
5+1015.24 грн
10+868.12 грн
50+672.51 грн
100+576.19 грн
250+531.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJ PSMN1R0-80CSE.pdf
PSMN1R0-80CSEJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R0-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95Ohm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+772.06 грн
10+514.01 грн
100+400.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJ 4421158.pdf
PSMN1R0-80CSEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 495A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+868.12 грн
50+672.51 грн
100+576.19 грн
250+531.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJ 4421158.pdf
PSMN1R0-80CSEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 495A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1400.53 грн
5+1015.24 грн
10+868.12 грн
50+672.51 грн
100+576.19 грн
250+531.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.