Продукція > NEXPERIA > PSMN1R0-80CSEJ
PSMN1R0-80CSEJ

PSMN1R0-80CSEJ NEXPERIA


4421158.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 495A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+674.74 грн
50+574.00 грн
100+481.35 грн
250+471.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-80CSEJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 495A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.55kW, Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN1R0-80CSEJ за ціною від 356.07 грн до 862.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R0-80CSEJ PSMN1R0-80CSEJ Виробник : Nexperia PSMN1R0-80CSE.pdf MOSFETs SOT8005 N-CH 80V 495A
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+805.36 грн
10+620.71 грн
100+450.17 грн
500+419.30 грн
1000+356.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJ PSMN1R0-80CSEJ Виробник : NEXPERIA 4421158.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 495A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+862.21 грн
5+768.47 грн
10+674.74 грн
50+574.00 грн
100+481.35 грн
250+471.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJ PSMN1R0-80CSEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-80CSE.pdf Description: PSMN1R0-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95Ohm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJ PSMN1R0-80CSEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-80CSE.pdf Description: PSMN1R0-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95Ohm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.