PSMN1R1-100CSEJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 676.62 грн |
| 50+ | 575.61 грн |
| 100+ | 482.70 грн |
| 250+ | 473.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R1-100CSEJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.55kW, Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN1R1-100CSEJ за ціною від 456.48 грн до 864.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R1-100CSEJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V |
на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R1-100CSEJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT8000 100V 430A |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R1-100CSEJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.55kW Bauform - Transistor: CCPAK1212i Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R1-100CSEJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |