PSMN1R1-100CSEJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 703.39 грн |
| 10+ | 526.89 грн |
| 25+ | 489.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R1-100CSEJ Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212i, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN1R1-100CSEJ за ціною від 479.98 грн до 752.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R1-100CSEJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 25 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology |
на замовлення 841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN1R1-100CSEJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |