Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R1-100CSEJ
PSMN1R1-100CSEJ

PSMN1R1-100CSEJ Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-100CSE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+337.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R1-100CSEJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.55kW, Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN1R1-100CSEJ за ціною від 398.14 грн до 1366.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN1R1-100CSEJ PSMN1R1-100CSEJ Nexperia USA Inc. PSMN1R1-100CSE.pdf Description: PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+767.49 грн
10+511.07 грн
100+398.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJ PSMN1R1-100CSEJ Nexperia PSMN1R1-100CSE.pdf MOSFETs SOT8000 100V 430A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+821.99 грн
10+575.76 грн
1000+500.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJ PSMN1R1-100CSEJ NEXPERIA 4421159.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+848.06 грн
50+732.26 грн
100+605.41 грн
250+563.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJ PSMN1R1-100CSEJ NEXPERIA 4421159.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1366.99 грн
5+1089.19 грн
10+848.06 грн
50+732.26 грн
100+605.41 грн
250+563.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJ PSMN1R1-100CSE.pdf
PSMN1R1-100CSEJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+767.49 грн
10+511.07 грн
100+398.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJ PSMN1R1-100CSE.pdf
PSMN1R1-100CSEJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT8000 100V 430A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+821.99 грн
10+575.76 грн
1000+500.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJ 4421159.pdf
PSMN1R1-100CSEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+848.06 грн
50+732.26 грн
100+605.41 грн
250+563.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJ 4421159.pdf
PSMN1R1-100CSEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1366.99 грн
5+1089.19 грн
10+848.06 грн
50+732.26 грн
100+605.41 грн
250+563.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.