Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R1-30EL,127
PSMN1R1-30EL,127

PSMN1R1-30EL,127 Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-30EL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
333+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 333
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R1-30EL,127 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 338W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN1R1-30EL,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R1-30EL,127 PSMN1R1-30EL,127 Виробник : NEXPERIA 1727711128484032psmn1r1-30el.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127 PSMN1R1-30EL,127 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R1-30EL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127 Виробник : Nexperia PSMN1R1-30EL.pdf MOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.