Продукція > NEXPERIA > PSMN1R1-30PL,127
PSMN1R1-30PL,127

PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA

PSMN1R1-30PL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1609A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 243nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+324.84 грн
3+272.56 грн
10+265.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 338, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PSMN1R1-30PL,127 за ціною від 174.21 грн до 464.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 Nexperia USA Inc. PSMN1R1-30PL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.40 грн
10+259.74 грн
50+203.67 грн
100+174.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 Nexperia 1727699367669756psmn1r1-30pl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+464.23 грн
100+440.61 грн
500+418.16 грн
1000+380.45 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 Nexperia PSMN1R1_30PL-2938949.pdf MOSFET PSMN1R1-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA NEXP-S-A0003059732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 338
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA NEXP-S-A0003059732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 338
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
PSMN1R1-30PL,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+405.40 грн
10+259.74 грн
50+203.67 грн
100+174.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 1727699367669756psmn1r1-30pl.pdf
PSMN1R1-30PL,127
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+464.23 грн
100+440.61 грн
500+418.16 грн
1000+380.45 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1_30PL-2938949.pdf
PSMN1R1-30PL,127
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN1R1-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 NEXP-S-A0003059732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R1-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 338
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 NEXP-S-A0003059732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R1-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 338
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.