| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 314.11 грн |
| 10+ | 259.60 грн |
| 50+ | 225.05 грн |
| 100+ | 182.25 грн |
| 500+ | 162.23 грн |
| 1000+ | 138.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R1-30PL,127 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 338W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN1R1-30PL,127 за ціною від 174.21 грн до 464.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R1-30PL,127 | NEXPERIA |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Pulsed drain current: 1609A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 243nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PSMN1R1-30PL,127 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 338W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PSMN1R1-30PL,127 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMN1R1-30PL,127 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1609A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 243nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1609A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 243nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 324.84 грн |
| 3+ | 272.56 грн |
| 10+ | 265.91 грн |
| PSMN1R1-30PL,127 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 405.40 грн |
| 10+ | 259.74 грн |
| 50+ | 203.67 грн |
| 100+ | 174.21 грн |
| PSMN1R1-30PL,127 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 464.23 грн |
| 100+ | 440.61 грн |
| 500+ | 418.16 грн |
| 1000+ | 380.45 грн |