PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 338
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 338
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 238.16 грн |
500+ | 187.77 грн |
1000+ | 145.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 338, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMN1R1-30PL,127 за ціною від 133.83 грн до 358.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN1R1-30PL,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 338W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V |
на замовлення 1777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PSMN1R1-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Pulsed drain current: 1609A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 243nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PSMN1R1-30PL,127 | Виробник : Nexperia | MOSFET PSMN1R1-30PL/SOT78/SIL3P |
на замовлення 3077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PSMN1R1-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 338 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 338 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PSMN1R1-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Pulsed drain current: 1609A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 243nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PSMN1R1-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PSMN1R1-30PL,127 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PSMN1R1-30PL,127 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |