PSMN1R1-30YLEX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 97.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R1-30YLEX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSMN1R1-30YLEX за ціною від 51.94 грн до 199.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R1-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN1R1-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN1R1-30YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN1R1-30YLEX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 265A |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|