Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R1-30YLEX
PSMN1R1-30YLEX

PSMN1R1-30YLEX Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-30YLE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 192W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+92.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R1-30YLEX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN1R1-30YLEX за ціною від 100.73 грн до 187.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R1-30YLEX PSMN1R1-30YLEX Nexperia psmn1r1-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 265A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+175.61 грн
500+166.25 грн
1000+156.88 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEX PSMN1R1-30YLEX Nexperia USA Inc. PSMN1R1-30YLE.pdf Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 192W (Ta)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.81 грн
10+162.55 грн
100+130.63 грн
500+100.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEX PSMN1R1-30YLEX Nexperia PSMN1R1-30YLE.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 265A
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEX PSMN1R1-30YLEX NEXPERIA 3791081.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEX PSMN1R1-30YLEX NEXPERIA 3791081.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEX psmn1r1-30yle.pdf
PSMN1R1-30YLEX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 265A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+175.61 грн
500+166.25 грн
1000+156.88 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEX PSMN1R1-30YLE.pdf
PSMN1R1-30YLEX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 192W (Ta)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.81 грн
10+162.55 грн
100+130.63 грн
500+100.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEX PSMN1R1-30YLE.pdf
PSMN1R1-30YLEX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 265A
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEX 3791081.pdf
PSMN1R1-30YLEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30YLEX 3791081.pdf
PSMN1R1-30YLEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.