PSMN1R1-30YLEX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 88.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R1-30YLEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN1R1-30YLEX за ціною від 60.84 грн до 194.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R1-30YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R1-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN1R1-30YLEX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R1-30YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|