PSMN1R1-30YLEX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 192W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R1-30YLEX Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA, Power Dissipation (Max): 192W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PSMN1R1-30YLEX за ціною від 77.36 грн до 204.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R1-30YLEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 265A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN1R1-30YLEX | Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Power Dissipation (Max): 192W (Ta) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PSMN1R1-30YLEX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 265A |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| PSMN1R1-30YLEX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 265A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 265A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 176.40 грн |
| 500+ | 166.99 грн |
| 1000+ | 157.58 грн |
| PSMN1R1-30YLEX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 192W (Ta)
Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 192W (Ta)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.04 грн |
| 10+ | 167.08 грн |
| 100+ | 134.27 грн |
| 500+ | 103.53 грн |
| PSMN1R1-30YLEX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 265A
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 265A
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.30 грн |
| 10+ | 130.21 грн |
| 100+ | 77.36 грн |