Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R1-40BS,118
PSMN1R1-40BS,118

PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-40BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+104.46 грн
2400+90.62 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 306W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm.

Інші пропозиції PSMN1R1-40BS,118 за ціною від 120.99 грн до 322.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Nexperia 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.78 грн
10+154.15 грн
25+146.75 грн
100+140.86 грн
250+129.84 грн
500+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Nexperia 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.78 грн
93+153.87 грн
100+145.44 грн
250+131.96 грн
500+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN1R1-40BS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.25 грн
10+183.16 грн
50+142.13 грн
100+120.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 NXP Semiconductors 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+322.73 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Nexperia PSMN1R1-40BS.pdf MOSFETs PSMN1R1-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 5376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 5376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+164.78 грн
10+154.15 грн
25+146.75 грн
100+140.86 грн
250+129.84 грн
500+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+164.78 грн
93+153.87 грн
100+145.44 грн
250+131.96 грн
500+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS.pdf
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.25 грн
10+183.16 грн
50+142.13 грн
100+120.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+322.73 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS.pdf
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R1-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 NEXP-S-A0003059789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 5376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 NEXP-S-A0003059789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 5376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.