Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R1-40BS,118
PSMN1R1-40BS,118

PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-40BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+123.34 грн
1600+118.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN1R1-40BS,118 за ціною від 95.27 грн до 412.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Nexperia 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+153.56 грн
100+146.29 грн
250+144.58 грн
500+139.06 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Nexperia 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.56 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+207.91 грн
250+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 NXP Semiconductors 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+321.30 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Nexperia PSMN1R1-40BS.pdf MOSFETs PSMN1R1-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.35 грн
10+208.79 грн
100+129.78 грн
500+109.07 грн
800+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN1R1-40BS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.84 грн
10+214.49 грн
50+166.95 грн
100+142.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 6711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.36 грн
10+289.94 грн
50+264.98 грн
100+207.91 грн
250+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+153.56 грн
100+146.29 грн
250+144.58 грн
500+139.06 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+153.56 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 NEXP-S-A0003059789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+207.91 грн
250+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+321.30 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS.pdf
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R1-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+321.35 грн
10+208.79 грн
100+129.78 грн
500+109.07 грн
800+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS.pdf
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.84 грн
10+214.49 грн
50+166.95 грн
100+142.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-40BS,118 NEXP-S-A0003059789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R1-40BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 6711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+412.36 грн
10+289.94 грн
50+264.98 грн
100+207.91 грн
250+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.