Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R1-40BS,118
PSMN1R1-40BS,118

PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-40BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 20 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+131.98 грн
1600+ 108.82 грн
2400+ 102.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00116 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00116ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PSMN1R1-40BS,118 за ціною від 89.87 грн до 221.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00116 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 306W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00116ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+137.7 грн
800+ 106.56 грн
1600+ 104.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00116 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00116ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+203.71 грн
10+ 179.74 грн
25+ 171.5 грн
100+ 124.48 грн
800+ 89.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R1-40BS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 20 V
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.82 грн
10+ 176.71 грн
100+ 142.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Виробник : Nexperia PSMN1R1_40BS-2939048.pdf MOSFET PSMN1R1-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.2 грн
10+ 186.56 грн
25+ 152.88 грн
100+ 134.19 грн
250+ 128.18 грн
500+ 118.17 грн
800+ 96.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R1-40BS,118 Виробник : NEXPERIA 3270575614629511psmn1r1-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
PSMN1R1-40BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN1R1-40BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 1320A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1320A
Power dissipation: 306W
Gate charge: 136nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN1R1-40BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN1R1-40BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 1320A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1320A
Power dissipation: 306W
Gate charge: 136nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
товар відсутній