PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 20 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 121.66 грн |
| 1600+ | 114.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN1R1-40BS,118 за ціною від 90.48 грн до 282.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R1-40BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 6811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN1R1-40BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 6811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN1R1-40BS,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT404 N-CH 40V 120A |
на замовлення 2072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN1R1-40BS,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 20 V |
на замовлення 3818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN1R1-40BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PSMN1R1-40BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |