PSMN1R1-80ASFJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24627 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 619.28 грн |
| 10+ | 406.29 грн |
| 100+ | 298.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R1-80ASFJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 385A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 935W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CCPAK1212, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm.
Інші пропозиції PSMN1R1-80ASFJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R1-80ASFJ | Nexperia |
MOSFETs PSMN1R1-80ASF/SOT8000A/CCPAK12 |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
PSMN1R1-80ASFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 385A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 935W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: CCPAK1212 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
PSMN1R1-80ASFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN1R1-80ASFJ |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R1-80ASF/SOT8000A/CCPAK12
MOSFETs PSMN1R1-80ASF/SOT8000A/CCPAK12
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN1R1-80ASFJ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN1R1-80ASFJ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)