на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 632.90 грн |
| 10+ | 453.55 грн |
| 100+ | 328.41 грн |
| 500+ | 303.85 грн |
| 1000+ | 257.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R1-80ASFJ Nexperia
Description: NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 935W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24627 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMN1R1-80ASFJ за ціною від 311.65 грн до 688.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R1-80ASFJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24627 pF @ 40 V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN1R1-80ASFJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24627 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |