Продукція > NEXPERIA > PSMN1R1-80CSFJ
PSMN1R1-80CSFJ

PSMN1R1-80CSFJ Nexperia

PSMN1R1-80CSF.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs NextPower 80 V, 1.16 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+575.96 грн
10+412.75 грн
100+330.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R1-80CSFJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 385A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN1R1-80CSFJ за ціною від 294.96 грн до 971.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN1R1-80CSFJ PSMN1R1-80CSFJ Nexperia USA Inc. PSMN1R1-80CSF.pdf Description: NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15363 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.16mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651.23 грн
10+427.33 грн
50+341.79 грн
100+294.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80CSFJ PSMN1R1-80CSFJ NEXPERIA PSMN1R1-80CSF.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+684.31 грн
50+508.34 грн
100+430.14 грн
250+396.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80CSFJ PSMN1R1-80CSFJ NEXPERIA PSMN1R1-80CSF.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+971.07 грн
5+788.59 грн
10+684.31 грн
50+508.34 грн
100+430.14 грн
250+396.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80CSFJ PSMN1R1-80CSF.pdf
PSMN1R1-80CSFJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15363 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.16mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+651.23 грн
10+427.33 грн
50+341.79 грн
100+294.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80CSFJ PSMN1R1-80CSF.pdf
PSMN1R1-80CSFJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+684.31 грн
50+508.34 грн
100+430.14 грн
250+396.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-80CSFJ PSMN1R1-80CSF.pdf
PSMN1R1-80CSFJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+971.07 грн
5+788.59 грн
10+684.31 грн
50+508.34 грн
100+430.14 грн
250+396.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.