PSMN1R2-25YL,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 80.74 грн |
| 3000+ | 73.87 грн |
| 7500+ | 71.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R2-25YL,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 121W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMN1R2-25YL,115 за ціною від 53.11 грн до 170.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R2-25YL,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN1R2-25YL/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 24840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R2-25YL,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 121W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 12 V |
на замовлення 16330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN1R2-25YL,115 Код товару: 83240 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
| PSMN1R2-25YL,115 | Виробник : NEXPERIA |
PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors |
товар відсутній |