Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R2-25YLC,115
PSMN1R2-25YLC,115

PSMN1R2-25YLC,115 Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-25YLC.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4173 pF @ 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R2-25YLC,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V, Verlustleistung: 179W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm.

Інші пропозиції PSMN1R2-25YLC,115 за ціною від 33.57 грн до 118.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.33 грн
10+60.66 грн
25+52.35 грн
100+49.86 грн
250+45.70 грн
500+44.04 грн
1000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Nexperia 4374805715362414psmn1r2-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+114.99 грн
500+103.49 грн
1000+95.44 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4173 pF @ 12 V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.82 грн
10+72.47 грн
50+54.21 грн
100+45.32 грн
500+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Nexperia PSMN1R2_25YLC-2938744.pdf MOSFETs PSMN1R2-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.33 грн
10+60.66 грн
25+52.35 грн
100+49.86 грн
250+45.70 грн
500+44.04 грн
1000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 4374805715362414psmn1r2-25ylc.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
309+114.99 грн
500+103.49 грн
1000+95.44 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4173 pF @ 12 V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.82 грн
10+72.47 грн
50+54.21 грн
100+45.32 грн
500+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2_25YLC-2938744.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R2-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 NEXP-S-A0003059719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R2-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 NEXP-S-A0003059719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R2-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.