Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R2-25YLC,115
PSMN1R2-25YLC,115

PSMN1R2-25YLC,115 Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-25YLC.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4173 pF @ 12 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+29.42 грн
3000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R2-25YLC,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN1R2-25YLC,115 за ціною від 28.98 грн до 104.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : NEXPERIA 4374805715362414psmn1r2-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4374805715362414psmn1r2-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4374805715362414psmn1r2-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
392+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4374805715362414psmn1r2-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4374805715362414psmn1r2-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4374805715362414psmn1r2-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.17 грн
500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4374805715362414psmn1r2-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : Nexperia PSMN1R2_25YLC-2938744.pdf MOSFETs PSMN1R2-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.55 грн
10+67.34 грн
100+44.22 грн
500+37.50 грн
1000+31.54 грн
1500+30.94 грн
3000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.80 грн
7+61.94 грн
10+53.77 грн
24+38.91 грн
66+36.79 грн
100+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4173 pF @ 12 V
на замовлення 6347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.61 грн
10+52.11 грн
100+39.62 грн
500+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.57 грн
5+77.19 грн
10+64.52 грн
24+46.69 грн
66+44.14 грн
100+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.12 грн
13+67.13 грн
100+48.17 грн
500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4374805715362414psmn1r2-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4374805715362414psmn1r2-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.