PSMN1R2-25YLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 41.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R2-25YLDX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00103 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 172W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN1R2-25YLDX за ціною від 33.40 грн до 68.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R2-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00103 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R2-25YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V |
на замовлення 3509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R2-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00103 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN1R2-25YLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN1R2-25YLD/SOT669/LFPAK |
на замовлення 20666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN1R2-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 25V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN1R2-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Drain-source voltage: 25V Drain current: 205A On-state resistance: 2.87mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 172W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60.3nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1163A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PSMN1R2-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Drain-source voltage: 25V Drain current: 205A On-state resistance: 2.87mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 172W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60.3nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1163A |
товару немає в наявності |