Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R2-25YLDX
PSMN1R2-25YLDX

PSMN1R2-25YLDX Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-25YLD.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R2-25YLDX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V, Verlustleistung: 172W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm.

Інші пропозиції PSMN1R2-25YLDX за ціною від 35.89 грн до 313.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX Nexperia psmn1r2-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.42 грн
25+45.65 грн
100+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003107917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.46 грн
500+91.53 грн
1000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX Nexperia psmn1r2-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.40 грн
10+94.26 грн
100+63.87 грн
500+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX Nexperia PSMN1R2-25YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
на замовлення 19426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+98.77 грн
50+64.24 грн
100+57.12 грн
1500+38.96 грн
3000+35.96 грн
4500+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003107917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.64 грн
10+202.03 грн
100+125.46 грн
500+91.53 грн
1000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX Nexperia psmn1r2-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX psmn1r2-25yld.pdf
PSMN1R2-25YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+46.42 грн
25+45.65 грн
100+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX NEXP-S-A0003107917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R2-25YLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+125.46 грн
500+91.53 грн
1000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX psmn1r2-25yld.pdf
PSMN1R2-25YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
261+135.84 грн
500+122.85 грн
1000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLD.pdf
PSMN1R2-25YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+152.40 грн
10+94.26 грн
100+63.87 грн
500+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLD.pdf
PSMN1R2-25YLDX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
на замовлення 19426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+158.04 грн
10+98.77 грн
50+64.24 грн
100+57.12 грн
1500+38.96 грн
3000+35.96 грн
4500+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX NEXP-S-A0003107917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R2-25YLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+313.64 грн
10+202.03 грн
100+125.46 грн
500+91.53 грн
1000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX psmn1r2-25yld.pdf
PSMN1R2-25YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.