Продукція > NEXPERIA > PSMN1R2-30YLC,115
PSMN1R2-30YLC,115

PSMN1R2-30YLC,115 NEXPERIA


4374280396716901psmn1r2-30ylc.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R2-30YLC,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN1R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.46V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 215W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN1R2-30YLC,115 за ціною від 33.65 грн до 135.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R2-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5093 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+44.08 грн
3000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4374280396716901psmn1r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+45.75 грн
3000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4374280396716901psmn1r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4374280396716901psmn1r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+46.47 грн
3000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4374280396716901psmn1r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+48.90 грн
3000+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.46V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.87 грн
500+49.40 грн
1000+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia PSMN1R2-30YLC.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 6931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.35 грн
10+81.90 грн
100+51.27 грн
500+42.53 грн
1000+40.80 грн
1500+33.88 грн
3000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.46V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.27 грн
10+89.51 грн
100+65.87 грн
500+49.40 грн
1000+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R2-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5093 pF @ 15 V
на замовлення 7585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.18 грн
10+82.65 грн
100+55.75 грн
500+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4374280396716901psmn1r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4374280396716901psmn1r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN1R2-30YLC.pdf PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.