Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R2-30YLDX
PSMN1R2-30YLDX

PSMN1R2-30YLDX Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-30YLD.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R2-30YLDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 194W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN1R2-30YLDX за ціною від 33.44 грн до 174.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLDX Виробник : Nexperia psmn1r2-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+117.59 грн
500+106.24 грн
1000+97.60 грн
10000+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLDX Виробник : Nexperia psmn1r2-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+117.59 грн
500+106.24 грн
1000+97.60 грн
10000+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLDX Виробник : Nexperia PSMN1R2-30YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.48 грн
10+90.29 грн
100+50.35 грн
500+46.35 грн
1000+44.09 грн
1500+44.01 грн
3000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R2-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.75 грн
10+107.73 грн
50+81.31 грн
100+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLDX Виробник : NEXPERIA psmn1r2-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.