PSMN1R2-30YLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R2-30YLDX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 194W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN1R2-30YLDX за ціною від 42.75 грн до 150.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN1R2-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSMN1R2-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSMN1R2-30YLDX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSMN1R2-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSMN1R2-30YLDX | Nexperia |
MOSFETs PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK |
на замовлення 2632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN1R2-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 198+ | 71.46 грн |
| 240+ | 58.93 грн |
| 500+ | 46.28 грн |
| PSMN1R2-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 84.54 грн |
| 11+ | 71.46 грн |
| 100+ | 58.93 грн |
| 500+ | 44.62 грн |
| PSMN1R2-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.56 грн |
| 10+ | 85.44 грн |
| 50+ | 64.34 грн |
| 100+ | 53.98 грн |
| 500+ | 42.75 грн |
| PSMN1R2-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 235+ | 150.86 грн |
| 500+ | 135.54 грн |
| 1000+ | 124.93 грн |
| PSMN1R2-30YLDX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




