Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R2-30YLDX
PSMN1R2-30YLDX

PSMN1R2-30YLDX Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-30YLD.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R2-30YLDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 194W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN1R2-30YLDX за ціною від 35.10 грн до 151.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLDX Nexperia psmn1r2-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.94 грн
240+59.32 грн
500+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLDX Nexperia psmn1r2-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.11 грн
11+71.94 грн
100+59.32 грн
500+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN1R2-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.75 грн
10+83.49 грн
50+62.84 грн
100+52.72 грн
500+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLDX Nexperia PSMN1R2-30YLD.pdf MOSFETs PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+144.19 грн
10+91.67 грн
100+53.90 грн
500+42.71 грн
1000+37.52 грн
1500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLDX Nexperia psmn1r2-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.87 грн
500+136.45 грн
1000+125.77 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX psmn1r2-30yld.pdf
PSMN1R2-30YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
198+71.94 грн
240+59.32 грн
500+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX psmn1r2-30yld.pdf
PSMN1R2-30YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+85.11 грн
11+71.94 грн
100+59.32 грн
500+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLD.pdf
PSMN1R2-30YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.75 грн
10+83.49 грн
50+62.84 грн
100+52.72 грн
500+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX PSMN1R2-30YLD.pdf
PSMN1R2-30YLDX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.19 грн
10+91.67 грн
100+53.90 грн
500+42.71 грн
1000+37.52 грн
1500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLDX psmn1r2-30yld.pdf
PSMN1R2-30YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
235+151.87 грн
500+136.45 грн
1000+125.77 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.