PSMN1R2-55SLH Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 289.77 грн |
| 10+ | 250.75 грн |
| 100+ | 205.43 грн |
| 500+ | 164.11 грн |
| 1000+ | 138.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R2-55SLH Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 375W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V.
Інші пропозиції PSMN1R2-55SLH за ціною від 186.41 грн до 294.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R2-55SLH | Виробник : Nexperia |
MOSFET N-channel 55 V, 1.03 mOhm, 330 A logic level Application Specific MOSFET in LFPAK88 |
на замовлення 1896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN1R2-55SLH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 375W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V |
товару немає в наявності |