Продукція > NEXPERIA > PSMN1R2-55SLHAX
PSMN1R2-55SLHAX

PSMN1R2-55SLHAX Nexperia

psmn1r2-55slh.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 330A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+448.88 грн
100+426.43 грн
500+403.99 грн
1000+367.92 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R2-55SLHAX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 810 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 330A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: SOT-123, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN1R2-55SLHAX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLHAX Nexperia PSMN1R2-55SLH.pdf MOSFETs SOT1235 N-CH 55V 330A
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLHAX NEXPERIA 3679989.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 810 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: SOT-123
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLHAX NEXPERIA 3679989.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 810 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: SOT-123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLH.pdf
PSMN1R2-55SLHAX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1235 N-CH 55V 330A
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX 3679989.pdf
PSMN1R2-55SLHAX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 810 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: SOT-123
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX 3679989.pdf
PSMN1R2-55SLHAX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 810 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: SOT-123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.