PSMN1R2-80ASEJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 582.89 грн |
| 10+ | 381.71 грн |
| 100+ | 280.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R2-80ASEJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN1R2-80ASEJ за ціною від 377.77 грн до 924.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R2-80ASEJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN1R2-80ASEJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: CCPAK1212 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMN1R2-80ASEJ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 652.54 грн |
| 50+ | 484.14 грн |
| 100+ | 409.89 грн |
| 250+ | 377.77 грн |
| PSMN1R2-80ASEJ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1180 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1180µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 924.63 грн |
| 5+ | 760.89 грн |
| 10+ | 652.54 грн |
| 50+ | 484.14 грн |
| 100+ | 409.89 грн |
| 250+ | 377.77 грн |