Продукція > NEXPERIA > PSMN1R2-80CSEJ
PSMN1R2-80CSEJ

PSMN1R2-80CSEJ NEXPERIA

PSMN1R2-80CSE.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+564.11 грн
100+413.74 грн
500+381.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R2-80CSEJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN1R2-80CSEJ за ціною від 261.27 грн до 801.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R2-80CSEJ PSMN1R2-80CSEJ Nexperia PSMN1R2-80CSE.pdf MOSFETs PSMN1R2-80CSE/SOT800 5A/CCPAK12
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.55 грн
10+373.37 грн
100+261.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80CSEJ PSMN1R2-80CSEJ NEXPERIA PSMN1R2-80CSE.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+801.46 грн
10+564.11 грн
100+413.74 грн
500+381.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80CSEJ PSMN1R2-80CSE.pdf
PSMN1R2-80CSEJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R2-80CSE/SOT800 5A/CCPAK12
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+566.55 грн
10+373.37 грн
100+261.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-80CSEJ PSMN1R2-80CSE.pdf
PSMN1R2-80CSEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+801.46 грн
10+564.11 грн
100+413.74 грн
500+381.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.