Продукція > NEXPERIA > PSMN1R3-100ASFJ
PSMN1R3-100ASFJ

PSMN1R3-100ASFJ NEXPERIA

PSMN1R3-100ASF.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 0.0013 ohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+454.75 грн
50+388.46 грн
100+344.06 грн
250+337.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R3-100ASFJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 0.0013 ohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 355A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN1R3-100ASFJ за ціною від 244.59 грн до 629.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R3-100ASFJ PSMN1R3-100ASFJ Виробник : Nexperia MOSFETs NextPower 100 V, 1.3
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+600.65 грн
10+430.59 грн
100+312.53 грн
500+289.13 грн
1000+244.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-100ASFJ PSMN1R3-100ASFJ Виробник : NEXPERIA PSMN1R3-100ASF.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 0.0013 ohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 355A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+629.20 грн
5+539.44 грн
10+454.75 грн
50+388.46 грн
100+344.06 грн
250+337.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-100ASFJ PSMN1R3-100ASFJ Виробник : Nexperia psmn1r3-100asf.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 355A 12-Pin CCPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.