PSMN1R3-100ASFJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 536.91 грн |
| 10+ | 352.03 грн |
| 100+ | 272.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R3-100ASFJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 355A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN1R3-100ASFJ за ціною від 411.76 грн до 934.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R3-100ASFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN1R3-100ASFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 355A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: CCPAK1212 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN1R3-100ASFJ | Nexperia |
MOSFETs NextPower 100 V, 1.3 |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN1R3-100ASFJ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 658.40 грн |
| 50+ | 550.99 грн |
| 100+ | 413.85 грн |
| 250+ | 411.76 грн |
| PSMN1R3-100ASFJ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 355A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1300 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 355A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 934.77 грн |
| 5+ | 819.35 грн |
| 10+ | 658.40 грн |
| 50+ | 550.99 грн |
| 100+ | 413.85 грн |
| 250+ | 411.76 грн |
| PSMN1R3-100ASFJ |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs NextPower 100 V, 1.3
MOSFETs NextPower 100 V, 1.3
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)