на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 115+ | 27.15 грн |
| 250+ | 25.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R3-30YL,115 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 121W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMN1R3-30YL,115 за ціною від 58.57 грн до 245.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 95790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 60939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1023 N-CH 30V 100A |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 121W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMN1R3-30YL,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 121W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |