Продукція > NEXPERIA > PSMN1R3-30YL,115
PSMN1R3-30YL,115

PSMN1R3-30YL,115 Nexperia

4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+90.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R3-30YL,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R3-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1040 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 121W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm.

Інші пропозиції PSMN1R3-30YL,115 за ціною від 76.43 грн до 246.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 Nexperia 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.41 грн
10+89.96 грн
25+88.50 грн
100+83.94 грн
250+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 Nexperia 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.41 грн
158+89.96 грн
160+88.50 грн
163+83.94 грн
250+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 Nexperia 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+98.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 Nexperia 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 11439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 Nexperia 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 31290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 Nexperia 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R3-30YL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.60 грн
10+154.85 грн
50+119.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 Nexperia PSMN1R3-30YL.pdf MOSFETs PSMN1R3-30YL/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 5562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R3-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1040 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 121W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R3-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1040 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 121W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+91.41 грн
10+89.96 грн
25+88.50 грн
100+83.94 грн
250+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+91.41 грн
158+89.96 грн
160+88.50 грн
163+83.94 грн
250+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+98.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 11439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 31290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 4380881389518247psmn1r3-30yl.pdf
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL.pdf
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6227 pF @ 12 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.60 грн
10+154.85 грн
50+119.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R3-30YL.pdf
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R3-30YL/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 5562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 NEXP-S-A0003059567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1040 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 121W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-30YL,115 NEXP-S-A0003059567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R3-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1040 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 121W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.