Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R3-80SSFJ
PSMN1R3-80SSFJ

PSMN1R3-80SSFJ Nexperia USA Inc.

PSMN1R3-80SSF.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.72 грн
10+350.13 грн
50+277.20 грн
100+238.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R3-80SSFJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN1R3-80SSFJ за ціною від 208.98 грн до 630.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R3-80SSFJ PSMN1R3-80SSFJ Виробник : Nexperia PSMN1R3-80SSF.pdf MOSFETs PSMN1R3-80SSF/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.51 грн
10+419.03 грн
50+288.59 грн
100+264.09 грн
1000+215.10 грн
2000+208.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-80SSFJ PSMN1R3-80SSFJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R3-80SSF.pdf Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.