Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R3-80SSFJ
PSMN1R3-80SSFJ

PSMN1R3-80SSFJ Nexperia USA Inc.

PSMN1R3-80SSF.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.93 грн
10+365.16 грн
50+289.10 грн
100+248.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R3-80SSFJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN1R3-80SSFJ за ціною від 217.95 грн до 657.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R3-80SSFJ PSMN1R3-80SSFJ Виробник : Nexperia PSMN1R3-80SSF.pdf MOSFETs PSMN1R3-80SSF/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+657.58 грн
10+437.02 грн
50+300.98 грн
100+275.43 грн
1000+224.34 грн
2000+217.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R3-80SSFJ PSMN1R3-80SSFJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R3-80SSF.pdf Description: NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16647 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.