PSMN1R4-100ASEJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 244.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R4-100ASEJ Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 935W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN1R4-100ASEJ за ціною від 275.99 грн до 788.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN1R4-100ASEJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN1R4-100ASEJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1 |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|