Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R4-100ASEJ
PSMN1R4-100ASEJ

PSMN1R4-100ASEJ Nexperia USA Inc.

PSMN1R4-100ASE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+615.31 грн
10+402.70 грн
50+321.20 грн
100+276.86 грн
500+270.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R4-100ASEJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1360 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 340A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 935W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CCPAK1212, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1360µohm.

Інші пропозиції PSMN1R4-100ASEJ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASEJ Nexperia PSMN1R4-100ASE.pdf MOSFETs PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASEJ NEXPERIA PSMN1R4-100ASE.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1360 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1360µohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASEJ NEXPERIA PSMN1R4-100ASE.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1360 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1360µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASE.pdf
PSMN1R4-100ASEJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASE.pdf
PSMN1R4-100ASEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1360 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1360µohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASE.pdf
PSMN1R4-100ASEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1360 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1360µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.