Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R4-100ASEJ
PSMN1R4-100ASEJ

PSMN1R4-100ASEJ Nexperia USA Inc.

PSMN1R4-100ASE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+224.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R4-100ASEJ Nexperia USA Inc.

Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 935W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN1R4-100ASEJ за ціною від 248.63 грн до 565.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASEJ Nexperia USA Inc. PSMN1R4-100ASE.pdf Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+565.75 грн
10+369.57 грн
100+270.82 грн
500+248.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASEJ Nexperia PSMN1R4-100ASE.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASE.pdf
PSMN1R4-100ASEJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+565.75 грн
10+369.57 грн
100+270.82 грн
500+248.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100ASEJ PSMN1R4-100ASE.pdf
PSMN1R4-100ASEJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.