PSMN1R4-100CSEJ Nexperia
Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel, 100 V, 1.42 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212i package
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 538.81 грн |
| 10+ | 375.51 грн |
| 100+ | 271.99 грн |
| 500+ | 251.97 грн |
| 1000+ | 213.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R4-100CSEJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 340A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN1R4-100CSEJ за ціною від 388.66 грн до 882.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN1R4-100CSEJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN1R4-100CSEJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 340A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: CCPAK1212i Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMN1R4-100CSEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 621.77 грн |
| 50+ | 519.77 грн |
| 100+ | 390.73 грн |
| 250+ | 388.66 грн |
| PSMN1R4-100CSEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 882.72 грн |
| 5+ | 783.65 грн |
| 10+ | 621.77 грн |
| 50+ | 519.77 грн |
| 100+ | 390.73 грн |
| 250+ | 388.66 грн |


