PSMN1R4-100CSFJ Nexperia
Виробник: NexperiaMOSFETs N-channel 30 V, 1.4 mohm logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 565.54 грн |
| 10+ | 467.83 грн |
| 100+ | 339.25 грн |
| 500+ | 311.04 грн |
| 1000+ | 263.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R4-100CSFJ Nexperia
Description: NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212i, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN1R4-100CSFJ за ціною від 290.94 грн до 573.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R4-100CSFJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PSMN1R4-100CSFJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |