Продукція > NEXPERIA > PSMN1R4-100CSFJ
PSMN1R4-100CSFJ

PSMN1R4-100CSFJ Nexperia

PSMN1R4-100CSF.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs NextPower 100 V, 1.35 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+555.59 грн
10+398.30 грн
100+319.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R4-100CSFJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 355A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN1R4-100CSFJ за ціною від 286.10 грн до 953.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN1R4-100CSFJ PSMN1R4-100CSFJ Nexperia USA Inc. PSMN1R4-100CSF.pdf Description: NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+633.95 грн
10+415.15 грн
50+331.68 грн
100+286.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSFJ PSMN1R4-100CSFJ NEXPERIA PSMN1R4-100CSF.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+672.09 грн
50+499.27 грн
100+422.46 грн
250+389.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSFJ PSMN1R4-100CSFJ NEXPERIA PSMN1R4-100CSF.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 355A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+953.15 грн
5+767.41 грн
10+672.09 грн
50+499.27 грн
100+422.46 грн
250+389.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSFJ PSMN1R4-100CSF.pdf
PSMN1R4-100CSFJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+633.95 грн
10+415.15 грн
50+331.68 грн
100+286.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSFJ PSMN1R4-100CSF.pdf
PSMN1R4-100CSFJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+672.09 грн
50+499.27 грн
100+422.46 грн
250+389.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-100CSFJ PSMN1R4-100CSF.pdf
PSMN1R4-100CSFJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 1350 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 355A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+953.15 грн
5+767.41 грн
10+672.09 грн
50+499.27 грн
100+422.46 грн
250+389.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.