на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 30.27 грн |
| 3000+ | 28.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R4-30YLDX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 166W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN1R4-30YLDX за ціною від 28.55 грн до 115.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN1R4-30YLDX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R4-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN1R4-30YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN1R4-30YLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN1R4-30YLD/SOT669/LFPAK |
на замовлення 4946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R4-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R4-30YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 15 V |
на замовлення 19042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R4-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PSMN1R4-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN1R4-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN1R4-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |