PSMN1R4-40YSHX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0014 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 58.21 грн |
| 500+ | 45.49 грн |
| 1000+ | 38.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R4-40YSHX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0014 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSMN1R4-40YSHX за ціною від 38.60 грн до 184.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN1R4-40YSHX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0014 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK56E Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN1R4-40YSHX | Виробник : Nexperia |
MOSFET MOSFET PSMN1R4-40YSH/SOT1023 |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN1R4-40YSHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWERS3 MOSFETS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7523 pF @ 20 V |
на замовлення 1464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PSMN1R4-40YSHX | Виробник : NEXPERIA |
N-Channel 40 V, 1.4 mOhm, 240 A Standard Level MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PSMN1R4-40YSHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWERS3 MOSFETS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7523 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |