Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R5-30BLEJ
PSMN1R5-30BLEJ

PSMN1R5-30BLEJ Nexperia USA Inc.

PSMN1R5-30BLE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+134.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R5-30BLEJ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 401W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN1R5-30BLEJ за ціною від 134.78 грн до 364.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30BLEJ Виробник : Nexperia PSMN1R5-30BLE.pdf MOSFETs SOT404 N-CH 30V 120A
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+339.77 грн
10+262.03 грн
100+179.71 грн
500+142.00 грн
800+139.60 грн
2400+135.59 грн
4800+134.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30BLEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R5-30BLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.50 грн
10+233.00 грн
100+166.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30BLEJ Виробник : NEXPERIA PSMN1R5-30BLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1521A; 401W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1521A
Power dissipation: 401W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 228nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.