Продукція > NEXPERIA > PSMN1R5-30YL,115
PSMN1R5-30YL,115

PSMN1R5-30YL,115 NEXPERIA

4380869007944952psmn1r5-30yl.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R5-30YL,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 109W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN1R5-30YL,115 за ціною від 41.76 грн до 154.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R5-30YL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL,115 Виробник : NEXPERIA PSMN1R5-30YL.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R5-30YL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.87 грн
10+94.41 грн
100+63.71 грн
500+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.02 грн
10+99.62 грн
100+67.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL,115 Виробник : Nexperia PSMN1R5-30YL.pdf MOSFETs PSMN1R5-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.98 грн
10+102.12 грн
100+59.74 грн
500+48.73 грн
1500+42.27 грн
3000+41.83 грн
9000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 Виробник : NEXPERIA PSMN1R5-30YL.pdf PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.