Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R5-30YL,115
PSMN1R5-30YL,115

PSMN1R5-30YL,115 Nexperia USA Inc.

PSMN1R5-30YL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+45.41 грн
3000+40.64 грн
4500+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R5-30YL,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 109W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

Інші пропозиції PSMN1R5-30YL,115 за ціною від 46.80 грн до 248.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL,115 Nexperia 4380869007944952psmn1r5-30yl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R5-30YL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+92.08 грн
100+62.52 грн
500+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL,115 Nexperia PSMN1R5-30YL.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.88 грн
10+97.75 грн
100+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.73 грн
10+160.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 4380869007944952psmn1r5-30yl.pdf
PSMN1R5-30YL,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL.pdf
PSMN1R5-30YL,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.71 грн
10+92.08 грн
100+62.52 грн
500+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YL.pdf
PSMN1R5-30YL,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.88 грн
10+97.75 грн
100+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 NEXP-S-A0003059639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R5-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+248.73 грн
10+160.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115 NEXP-S-A0003059639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R5-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.