PSMN1R5-30YLC,115 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.51V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 77.71 грн |
| 14+ | 59.25 грн |
| 100+ | 44.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R5-30YLC,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.51V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN1R5-30YLC,115 за ціною від 32.61 грн до 146.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R5-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R5-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 15 V |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R5-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN1R5-30YLC/SOT669/LFPAK |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R5-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 65139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R5-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMN1R5-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| PSMN1R5-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 1016A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A Pulsed drain current: 1016A Power dissipation: 179W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |