Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R5-40YSDX
PSMN1R5-40YSDX

PSMN1R5-40YSDX Nexperia USA Inc.

PSMN1R5-40YSD.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7752 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R5-40YSDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 238W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7752 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN1R5-40YSDX за ціною від 49.11 грн до 209.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R5-40YSDX PSMN1R5-40YSDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R5-40YSD.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7752 pF @ 20 V
на замовлення 4003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.01 грн
10+126.92 грн
50+96.60 грн
100+81.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40YSDX PSMN1R5-40YSDX Виробник : Nexperia PSMN1R5-40YSD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 40V 240A
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.47 грн
10+129.71 грн
50+85.17 грн
100+76.58 грн
1500+52.94 грн
3000+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40YSDX Виробник : NEXPERIA psmn1r5-40ysd.pdf N-Channel 40 V, 190 A Standard level MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40YSDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R5-40YSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 202A; Idm: 1145A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 202A
Power dissipation: 238W
Pulsed drain current: 1145A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.