PSMN1R6-25YLEX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 89.40 грн |
| 500+ | 68.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R6-25YLEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 124W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN1R6-25YLEX за ціною від 36.86 грн до 221.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R6-25YLEX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 185A |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN1R6-25YLEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 185A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN1R6-25YLEX | Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3698 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN1R6-25YLEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMN1R6-25YLEX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 185A
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 185A
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.64 грн |
| 10+ | 96.85 грн |
| 100+ | 56.82 грн |
| 500+ | 45.77 грн |
| 1000+ | 41.49 грн |
| 1500+ | 36.86 грн |
| PSMN1R6-25YLEX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 185A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Trans MOSFET N-CH 25V 185A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 212+ | 167.74 грн |
| 500+ | 151.20 грн |
| 1000+ | 139.39 грн |
| PSMN1R6-25YLEX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3698 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3698 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.18 грн |
| 10+ | 111.51 грн |
| 100+ | 76.17 грн |
| 500+ | 57.26 грн |
| PSMN1R6-25YLEX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 221.48 грн |
| 10+ | 143.36 грн |
| 100+ | 89.40 грн |
| 500+ | 68.73 грн |